要　　旨

　ドーピングをしていないアモルファスシリコンの電解質水溶液中に於ける電極挙動を、電流-電位特性、及び開放電圧の測定によって研究した。フラットバンド電位が溶液の酸化還元電位に依存し、開放電圧はそれに依存しないような、或る酸化還元電位の領域が存在することがわかった。このことは、表面準位によるFermi Level Pinningが起こっていることを示すものである。短絡状態で光照射を行なうと電極の表面が酸化され、それに伴って表面準位が生成し、Fermi Level Pinningがより進行することが見出された。また、フッ化水素酸によるエッチング後の開放電圧の経時変化の測定も行なった。その結果、表面準位が表面の酸化によって生じることが裏付けられた。表面の酸化状態の変化は、アモルファスシリコン電極に印加した電位及び溶液のpHによっても生じ、これが電流-電位曲線のヒステリシスを起こす原因になる。この場合には、表面の酸化状態が変化しても、表面準位は生成しない。